| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF820
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS N沟道增强模式硅栅的TMOS |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | |||
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IRF820
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF820
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF820-013PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF820-019PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF820A
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 3.0ohm ，ID = 2.5A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF820A
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF820A
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF820A16A
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF820AL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 3.0ohm ，ID = 2.5A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF820AL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF820ALPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF820ALPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF820ALTRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820APBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF820APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820AS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 3.0ohm ，ID = 2.5A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF820ASPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF820ASPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF820ASTRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
500V N-Channel MOSFET 500V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF820D1
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF820N
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF820PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF820R
中文翻译 品牌: RENESAS |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-220AB | ||||
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IRF820SPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, SMD-220, D2PA | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF820SR
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820T
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | |||
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IRF820_R4943
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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