所属品牌:不限 ITT(6702) Carling Technologies(5521) VISHAY(2751) GSI(2579) LITTELFUSE(1096) OHMITE(995) MICROSEMI(979) KYOCERA AVX(869) GE(717) ETC(665) CDE(580) EUROQUARTZ(580) NKK(483) BOURNS(470) AGILENT(427) MSYSTEM(347) AMPHENOL(340) SAMTEC(332) IVO(294) CK-COMPONENTS(276) TOREX(247) MURATA(244) INTEL(217) MTRONPTI(217) CYPRESS(208) XTAITQ(200) PANASONIC(195) SENSORTECHNICS(163) INFINEON(141) CTS(133) FUJITSU(128)
功能分类:不限 光电二极管(13227) 开关(7543) 翘板开关(3549) 静态存储器(2120) 测试(679) 二极管(703) 电阻器(666) PC(1227) 石英晶振(491) 电容器(565) 内存集成电路(1171) 编码器(346) 拨动开关(272) 机械(280) 振荡器(357) 滑动开关(215) 双倍数据速率(698) 微控制器(270) 存储(634) 脉冲(694) 晶体管(1179) 端子和端子排(148) 医疗(138) 医疗器械(138) 连接器(153) 稳压器(123) 局域网(222) 高压(100) 可编程只读存储器(144) 电动程控只读存储器(140) 电可擦编程只读存储器(140) 驱动(263) 晶体(617) 谐振器(140) 稳压二极管(119) 可变电阻器(90) 按钮开关(147) 闪存(165) 瞄准线(98) 计算机(69) 电位器(63) 光电(212) 功率场效应晶体管(168) 小信号场效应晶体管(124) 电池(62) 逻辑集成电路(326) 放大器(87) 传感器(79) 压力传感器(43) 时钟(265) 石英晶体(45)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
AM29368GE
中文翻译 品牌: ETC
DRAM Controller
DRAM控制器\n
动态存储器 控制器
BR24G01FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
存储容量(Mb):1Kb(128 x 8);内存数据长度(bit):128 ;字编码数(k):128 ;最大时钟频率(MHz):400 kHz;最大存取时间(ns):5ms;最小工作电压(V):1.6V;最大工作电压(V):5.5V;元器件封装:8-TSSOP; 时钟 存储
BR24G02FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
I2C BUS EEPROM (2-Wire) 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR24G04FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
存储容量(Mb):4Kb(512 x 8);内存数据长度(bit):512 ;字编码数(k):512 ;最大时钟频率(MHz):400 kHz;最大存取时间(ns):5ms;最小工作电压(V):1.6V;最大工作电压(V):5.5V;元器件封装:8-TSSOP; 时钟 存储
BR24G08FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
存储容量(Mb):8Kb ;内存数据长度(bit):1K ;最小工作电压(V):1.6 V;最大工作电压(V):5.5 V;最大时钟频率(MHz):400kHz;最小工作温度(℃):-40°C;最大工作温度(℃):85°C (TA);接口类型:I²C;写入周期时间(ms):5ms;元器件封装:8-T 时钟 存储
BR24G128FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
BR24G16FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路
BR24G256FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
存储容量(Mb):256Kb ;内存数据长度(bit):32K ;最小工作电压(V):1.6 V;最大工作电压(V):5.5 V;最大时钟频率(MHz):400kHz;最小工作温度(℃):-40°C;最大工作温度(℃):85°C (TA);接口类型:I²C;写入周期时间(ms):5ms;元器件封装: 时钟 存储
BR24G32FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
I2C BUS EEPROM (2-Wire) 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR24G64FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
I2C BUS EEPROM (2-Wire) 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G128F-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G128FJ-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G128FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G1MF-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G1MFJ-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G256F-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G256FJ-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G256FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G320F-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G320FJ-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G320FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G640F-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G640FJ-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR25G640FVT-3GE2 EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM
SPI BUS EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR93G66FVT-3GE2
中文翻译 品牌: ROHM
MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
BR93G86FVT-3GE2
中文翻译 品牌: ROHM
MicroWire BUS EEPROM (3-Wire) 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
CAT28LV256GE-20T
中文翻译 品牌: CATALYST
256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
256K位CMOS并行E2PROM
可编程只读存储器
CAT28LV256GE-25
中文翻译 品牌: CATALYST
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 可编程只读存储器
CAT28LV256GE-25T
中文翻译 品牌: CATALYST
256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
256K位CMOS并行E2PROM
可编程只读存储器
CAT28LV256GE-25T
中文翻译 品牌: ONSEMI
256K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
256K位CMOS并行EEPROM
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
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