品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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G12072-54_15
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
InGaAs PIN photodiode with preamp | ||||
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G12180-003A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
Optoelectronic Device, | ||||
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G12180-005A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
InGaAs PIN photodiodes | ||||
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G12180-010A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
Optoelectronic Device, | ||||
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G12180-020A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
Optoelectronic Device, | ||||
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G12180-030A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
InGaAs PIN photodiodes | ||||
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G12180-050A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
InGaAs PIN photodiodes | ||||
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G12180-110A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
受光面:φ1 mm | ||||
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G12180-120A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
受光面:φ2 mm | ||||
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G12180-130A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
受光面:φ3 mm | ||||
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G12180-150A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
受光面:φ5 mm | ||||
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G12180-210A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
受光面:φ1 mm | ||||
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G12180-220A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
受光面:φ2 mm | ||||
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G12180-230A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
受光面:φ3 mm | ||||
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G12180-250A
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
受光面:φ5 mm | ||||
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G12180_15
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
InGaAs PIN photodiodes | ||||
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G12181-003K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.9 μm) | ||||
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G12181-005K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.9 μm) | ||||
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G12181-010K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.9 μm) | ||||
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G12181-020K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.9 μm) | ||||
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G12181-030K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.9 μm) | ||||
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G12181-103K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.87 μm),单级电子冷却型 | 电子 | |||
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G12181-105K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.87 μm),单级电子冷却型 | 电子 | |||
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G12181-110K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.87 μm),单级电子冷却型 | 电子 | |||
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G12181-120K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.87 μm),单级电子冷却型 | 电子 | |||
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G12181-130K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.87 μm),单级电子冷却型 | 电子 | |||
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G12181-203K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.85 μm),两级电子冷却型 | 电子 | |||
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G12181-205K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.85 μm),两级电子冷却型 | 电子 | |||
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G12181-210K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.85 μm),两级电子冷却型 | 电子 | |||
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G12181-220K
中文翻译 品牌: HAMAMATSU |
长波长类型(截止波长:1.85 μm),两级电子冷却型 | 电子 |