型号等于：	1N53 (8) 1N530 (1) 1N531 (1) 1N532 (1) 1N533 (1) 1N534 (1)
型号起始：	1N53* (3987) 1N53-* (1) 1N530* (176) 1N531* (105) 1N532* (1) 1N533* (546) 1N534* (611) 1N535* (471) 1N536* (469) 1N537* (460) 1N538* (405) 1N539* (734)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(2089) VISHAY(455) MCC(434) NJSEMI(319) ONSEMI(294) MOTOROLA(251) DIGITRON(248) CENTRAL(208) DIODES(172) RECTRON(144) WTE(136) FRONTIER(128) LGE(128) EIC(124) SUNMATE(111) BL Galaxy Electrical(93) STMICROELECTRONICS(88) PANJIT(79) FCI(75) SEMTECH(72) FORMOSA(70) DIOTECH(65) WON-TOP(63) DIOTEC(61) ANBON(56) BOCA(55) SEMIKRON(54) TRSYS(52) ETC(51) KISEMICONDUCTOR(51) SWST(51)
功能分类：	不限二极管(4165) 测试(2756) 齐纳二极管(1415) 稳压二极管(806) 稳流二极管(105) 整流二极管(92) 光电二极管(56) IOT(153) 稳压器(118) PC(29) 限制器(15) 功效(47) 瞄准线(16) 调节器(15) 微波混频二极管(3) CD(2) 脉冲(2) 普通整流二极管(1)

1N53 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：164

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1N5333BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 3.14; VZ Nom.(V) : 3.3; VZ Max.(V) : 3.47; IZ(mA) : 380; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5334AE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5334B/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5334BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 3.42; VZ Nom.(V) : 3.6; VZ Max.(V) : 3.78; IZ(mA) : 350; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5334BE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5334BE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5334C/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5334CE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5334E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5335B/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5335BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 3.71; VZ Nom.(V) : 3.9; VZ Max.(V) : 4.1; IZ(mA) : 320; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5335BE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5335CE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5335E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5336A/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5336AE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5336BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 4.09; VZ Nom.(V) : 4.3; VZ Max.(V) : 4.52; IZ(mA) : 290; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5336CE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5336E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5337/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5337BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 4.47; VZ Nom.(V) : 4.7; VZ Max.(V) : 4.94; IZ(mA) : 260; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5337CE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5337CE3/TR13 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5337E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5337E3/TR13 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5338A/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5338BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 4.84; VZ Nom.(V) : 5.1; VZ Max.(V) : 5.36; IZ(mA) : 240; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5338C/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5338CE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5338E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:T-18;	光电二极管

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