型号起始:IRFB* (448) IRFB1* (37) IRFB2* (15) IRFB3* (44) IRFB4* (76) IRFB5* (10) IRFB6* (2) IRFB7* (36) IRFB8* (2) IRFB9* (13) IRFBA* (19) IRFBC* (111) IRFBE* (27) IRFBF* (34) IRFBG* (16) IRFBL* (6)
所属品牌:不限 INFINEON(267) VISHAY(128) ETC(15) KERSEMI(15) ISC(9) UMW(5) FOSHAN(2) FREESCALE(2) HARRIS(2) STMICROELECTRONICS(2) INTERSIL(1)
功能分类:不限 晶体(178) 晶体管(225) 功率场效应晶体管(109) 开关(201) 脉冲(196) 局域网(194) PC(13) 放大器(5) 光电二极管(4) 栅极(2) 驱动(4) 电机(2) 转换器(3)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
IRFBC20S, SiHFBC20S, IRFBC20L, SiHFBC20L
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
IRFBC20S/LPBF
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HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
IRFBC20SPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管
IRFBC20SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
IRFBC20STRL
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFBC20STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFBC20STRLPBFA
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
IRFBC20STRR
中文翻译 品牌: ETC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 600V V( BR ) DSS | 2.2AI (D ) | TO- 263AB\n
晶体 晶体管 开关
IRFBC20STRRPBF
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暂无描述 晶体 晶体管 开关 局域网
IRFBC20STRRPBF
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Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网
IRFBC20S_V01
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Power MOSFET
IRFBC30
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS
N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET
N - CHANNEL 600V - 1.8欧姆 - 3.6A - TO- 220的PowerMESH ] II MOSFET
IRFBC30
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Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 2.2ohm ,ID = 3.6A )
IRFBC30
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Power MOSFET
功率MOSFET
IRFBC30A
中文翻译 品牌: INFINEON
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A)
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON)最大值= 2.2ohm ,ID = 3.6A )
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFBC30A
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Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFBC30AL
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Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 开关 脉冲
IRFBC30ALPBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 开关 脉冲
IRFBC30ALPBF
中文翻译 品牌: INFINEON
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO 开关 脉冲 晶体管
IRFBC30APBF EDA模型
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Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFBC30APBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET㈢ Power MOSFET
HEXFET㈢功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
IRFBC30AS
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Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A)
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON)最大值= 2.2ohm ,ID = 3.6A )
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFBC30AS
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Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 开关 脉冲
IRFBC30AS, SiHFBC30AS, IRFBC30AL, SiHFBC30AL
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Power MOSFET
IRFBC30ASPBF
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Power MOSFET
功率MOSFET
IRFBC30ASPBF
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
IRFBC30ASTRL
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Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFBC30ASTRLPBF
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Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
IRFBC30ASTRLPBF
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 开关 脉冲 晶体管
IRFBC30ASTRLPBFA
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Power MOSFET
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