| 型号起始： | SEMI* (424) SEMIC* (1) SEMIX* (423) |
| 所属品牌： | 不限 SEMIKRON(423) ETC(1) |
| 功能分类： | 不限 双极性晶体管(383) 晶体(79) 晶体管(83) 功率控制(83) 栅(57) 局域网(88) 二极管(9) 整流二极管(6) 桥式整流二极管(2) 栅极(1) 触发装置(1) 可控硅整流器(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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SEMIX101GD126HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX101GD12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX101GD12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
positive temperature coefficient 正温度系数 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX151GAL12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX151GAL12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 231A I(C), 1200V V(BR)CES | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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SEMIX151GB12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX151GB12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
positive temperature coefficient 正温度系数 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX151GD126HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX151GD12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX151GD12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 231A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SEMIX 13, 20 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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SEMIX155MLI07E4
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 650V V(BR)CES, | 栅 | |||
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SEMIX202GB066HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX202GB12E4S
EDA模型
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX202GB12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 310A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SEMIX 2S, 16 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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SEMIX205GD12E4
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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SEMIX205MLI07E4
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 205A I(C), 650V V(BR)CES, | 栅 | |||
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SEMIX223GB12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
High short circuit capability 高抗短路能力强 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX223GD12E4C
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX223GD12VC
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
High short circuit capability 高抗短路能力强 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX241DH16S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Bridge Rectifier Module(halfcontrolled) 整流桥模块（ halfcontrolled ） |
栅极 触发装置 可控硅整流器 局域网 | ||
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SEMIX252GB126HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX302GAR12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX302GB066HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX302GB126HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX302GB12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX302GB12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
High short circuit capability 高抗短路能力强 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX303GB12E4P
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor | 栅 | |||
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SEMIX303GB12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
High short circuit capability 高抗短路能力强 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX303GD12E4C
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX305MLI07E4
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 302A I(C), 650V V(BR)CES, | 栅 |