1N65 - 型号起始 - 栅极; 总记录数：1

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1N65G 中文翻译品牌: UMW	漏源电压（Vdss）:650V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:1A(Tc);栅极-源极阈值电压:4V @ 250uA;漏源导通电阻:11Ω@10V;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±30	栅栅极

Total:11

总1条记录，每页显示30条记录分1页显示。

型号等于：	1N65 (6) 1N658 (1) 1N659 (2) 1N65A (2) 1N65G (1) 1N65L (1)
型号起始：	1N65* (196) 1N65-* (1) 1N650* (14) 1N651* (70) 1N652* (28) 1N653* (17) 1N654* (15) 1N658* (4) 1N659* (5) 1N65A* (10) 1N65G* (13) 1N65L* (12) 1N65Q* (1)
所属品牌：	不限 NJSEMI(44) MICROSEMI(41) UTC(35) VMI(35) SSDI(21) SENSITRON(6) DIGITRON(4) FAIRCHILD(2) UMW(2) ETC(1) HOTTECH(1) HVGT(1)
功能分类：	不限二极管(62) 整流二极管(24) 超快恢复二极管(35) 高压超快恢复二极管(20) 快速恢复二极管(35) 测试(30) 高压(15) CD(6) 光电(1) 局域网(4) 栅(1) 栅极(1) 瞬态抑制器(2)