型号起始：	5.0SM* (72) ACT10* (8) ACTT1* (20) ACTT2* (5) ACTT4* (4) ACTT6* (7) ACTT8* (9) BT130* (2) BT131* (7) BT132* (1) BT134* (11) BT136* (20) BT137* (30) BT138* (24) BT139* (20) BT145* (3) BT148* (4) BT149* (2) BT150* (2) BT151* (32) BT152* (13) BT153* (4) BT155* (5) BT158* (1) BT168* (4) BT169* (8) BT234* (8) BT236* (5) BT258* (9) BT300* (1) BTA14* (4)
所属品牌：	不限 WEEN(2163)
功能分类：	不限电视(650) 三端双向交流开关(29) 二极管(24) 光电二极管(19) CD(7) 局域网(28) 功效(5) 栅(7) 栅极(7) 快速恢复能力电源(5) 超快速恢复二极管(3) 超快速恢复能力电源(5) 测试(3) 超快软恢复二极管(5) 快速软恢复二极管(5) 超快速软恢复能力电源(5) 功率因数校正(1) 开关(1) 晶体管(1) 超快恢复二极管(2) 快速恢复二极管(2)

WEEN - 型号起始 - 栅; 总记录数：29

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		ACT102H-600D,118 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):200mA;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):8A, 8.8A;直流栅级触发电压VGT(V):900mV;直流栅机触发电流IGT(mA):5mA;保持电流IH(mA):20mA;元器件封装:8-SOIC;	栅可控硅
		BT131-600,412 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):1A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):12.5A, 13.8A;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):3mA;保持电流IH(mA):5mA;元器件封装:TO-226-3	栅可控硅
		BT136-600E,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):4A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):25A, 27A;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):10mA;保持电流IH(mA):15mA;元器件封装:TO-220-3;	栅可控硅
		BT136X-600E,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):4A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):25A, 27A;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):10mA;保持电流IH(mA):15mA;元器件封装:TO-220-3;	栅可控硅
		BT137S-600,118 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):8A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):65A, 71A;直流栅级触发电压VGT(V):1V;直流栅机触发电流IGT(mA):70mA;保持电流IH(mA):20mA;元器件封装:TO-252-3;	栅可控硅
		BT138X-600,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):12A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):95A, 105A;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):35mA;保持电流IH(mA):30mA;元器件封装:TO-220-3	栅可控硅
		BT139-800E,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):800V;通态电流有效值ITRMS(A):16A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):155A, 170A;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):10mA;保持电流IH(mA):45mA;元器件封装:TO-220-	栅可控硅
		BT145-800R,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):800V;通态电流有效值ITRMS(A):25A;不可重复峰值通态电流ITSM(A):300A, 330A;通态峰值电压VTM(V):1.5V;直流栅级触发电压VGT(V):1V;直流栅机触发电流IGT(mA):35mA;保持电流IH(mA):60mA;元器件封装:	栅
		BT151-1000RT,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):1kV;通态电流有效值ITRMS(A):12A;不可重复峰值通态电流ITSM(A):120A, 131A;通态峰值电压VTM(V):1.75V;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):15mA;保持电流IH(mA):20mA;元器件封	栅
		BT151X-500C 中文翻译品牌: WEEN	SCR	栅栅极
		BT151X-500R 中文翻译品牌: WEEN	SCR	局域网栅栅极
		BT151X-800C 中文翻译品牌: WEEN	SCR	局域网栅栅极
		BT168GWF 中文翻译品牌: WEEN	SCR	栅光电二极管栅极
		BT169GEP 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):800mA;类型:单向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):8A, 9A;通态峰值电压VTM(V):1.7V;直流栅级触发电压VGT(V):800mV;直流栅机触发电流IGT(mA):200µA;保持电流IH(mA):	栅可控硅
		BT169H,412 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):800V;通态电流有效值ITRMS(A):800mA;不可重复峰值通态电流ITSM(A):9A, 10A;通态峰值电压VTM(V):1.7V;直流栅级触发电压VGT(V):800mV;直流栅机触发电流IGT(mA):100µA;保持电流IH(mA):3mA;元器件封	栅
		BT169H/01U 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):800V;通态电流有效值ITRMS(A):800mA;类型:单向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):9A, 10A;通态峰值电压VTM(V):1.7V;直流栅级触发电压VGT(V):800mV;直流栅机触发电流IGT(mA):100µA;保持电流IH(mA)	栅可控硅
		BT258-600R,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):8A;不可重复峰值通态电流ITSM(A):75A, 82A;通态峰值电压VTM(V):1.6V;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):200µA;保持电流IH(mA):6mA;元器件封装:T	栅
		BTA208S-800B,118 EDA模型中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):800 V ;通态电流有效值ITRMS(A):8 A ;不可重复峰值通态电流ITSM(A):65A，71A ;直流栅级触发电压VGT(V):1.5 V ;直流栅机触发电流IGT(mA):50 mA ;保持电流IH(mA):60 mA ;元器件封装:DPAK;	栅
		BTA208X-1000C0,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):1kV;通态电流有效值ITRMS(A):8A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):65A, 71A;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):35mA;保持电流IH(mA):50mA;元器件封装:TO-220-3;	栅可控硅
		BTA212X-600D 中文翻译品牌: WEEN	Three quadrant triacs guaranteed commutation	局域网栅三端双向交流开关栅极
		BTA212X-600F 中文翻译品牌: WEEN	Three quadrant triacs guaranteed commutation	局域网栅三端双向交流开关栅极
		BTA212X-800E 中文翻译品牌: WEEN	Three quadrant triacs guaranteed commutation	局域网栅三端双向交流开关栅极
		BTA41-600BQ 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):40A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):400A, 440A;直流栅级触发电压VGT(V):1.3V;直流栅机触发电流IGT(mA):70mA;保持电流IH(mA):80mA;元器件封装:TO-3P-3	栅可控硅
		BTA412Y-600B,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):12A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):140A, 153A;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):50mA;保持电流IH(mA):60mA;元器件封装:TO-220-	栅可控硅
		BTA416Y-600B,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):16A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):160A, 176A;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):50mA;保持电流IH(mA):60mA;元器件封装:TO-220-	栅可控硅
		BTA416Y-600C,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):600V;通态电流有效值ITRMS(A):16A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):160A, 176A;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):35mA;保持电流IH(mA):35mA;元器件封装:TO-220-	栅可控硅
		BTA416Y-800B,127 中文翻译品牌: WEEN	断态可重复峰值电压VDRM(V):800V;通态电流有效值ITRMS(A):16A;类型:双向可控硅;不可重复峰值通态电流ITSM(A):160A, 176A;直流栅级触发电压VGT(V):1.5V;直流栅机触发电流IGT(mA):50mA;保持电流IH(mA):60mA;元器件封装:TO-220-	栅可控硅
		EC103D1,412 中文翻译品牌: WEEN	类型：单向可控硅断态电压Vdrm：400V 通态电流 (It (AV)) (Max)：500mA 通态电流(It (RMS)) (Max)：800mA 栅极触发电压：800mV 栅极触发电流：12μA	栅栅极可控硅
		Z0103NA,412 中文翻译品牌: WEEN	类型：双向可控硅断态电压Vdrm：800V 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：1A 栅极触发电压：1.3V 栅极触发电流：3mA	栅栅极可控硅

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总29条记录，每页显示30条记录分1页显示。

WEEN是什么品牌：瑞能半导体科技股份有限公司，注册于2015年8月5号，运营中心落户上海，全资子公司和分支机构，包括吉林芯片生产基地，香港子公司，上海和英国产品及研发中心，东莞物流中心，以及遍布全球其他国家的销售和客户服务点。 2018年9月，瑞能半导体可靠性测试实验室及失效分析实验室在江西省南昌县正式开业，可以对包括二极管，三极管以及可控硅等分立器件产品进行可靠性测试以及失效分析。自诞生以来，瑞能已走过逾 50 年辉煌历程。作为全球功率半导体行业的佼佼者，瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合，公司主要产品主要包括碳化硅器件，可控硅整流器和晶闸管，快恢二极管，TVS,ESD，IGBT,模块等。产品广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。瑞能始终以优化客户体验，提升运营效率，强化核心技术为目标，推动全球智能制造行业的向前发展！