品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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K4M56163LG
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA 2米x 16Bit的×4银行移动SDRAM的54FBGA |
动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BF1H
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | 动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BF1H0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | 动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BF1L
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | 动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BF1LT
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | 动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BF75
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 | 动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BF750
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | 动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BF75T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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K4M56163LG-BG1H0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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K4M56163LG-BG1HT
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | 动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BG1L0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | 动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BG1LT
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | 动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BG75
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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K4M56163LG-BG75T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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K4M56163LG-BL1H
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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K4M56163LG-BL1H0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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K4M56163LG-BL1L
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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K4M56163LG-BL1L0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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K4M56163LG-BL1LT
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | 动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BL75
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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K4M56163LG-BL75T
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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K4M56163LG-BN/F1H
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA 2米x 16Bit的×4银行移动SDRAM的54FBGA |
动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BN/F1L
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA 2米x 16Bit的×4银行移动SDRAM的54FBGA |
动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BN/F75
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA 2米x 16Bit的×4银行移动SDRAM的54FBGA |
动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BN/G
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA 2米x 16Bit的×4银行移动SDRAM的54FBGA |
动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BN/L
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA 2米x 16Bit的×4银行移动SDRAM的54FBGA |
动态存储器 | |||
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K4M56163LG-BN1H
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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K4M56163LG-BN1H0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
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K4M56163LG-BN1HT
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | |||
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K4M56163LG-BN1L0
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | 时钟 动态存储器 内存集成电路 |