型号起始：2SC4* (1999) 2SC40* (683) 2SC41* (193) 2SC42* (165) 2SC43* (123) 2SC44* (111) 2SC45* (276) 2SC46* (172) 2SC47* (89) 2SC48* (67) 2SC49* (120)
所属品牌：不限 ROHM(1706) ETC(840) RENESAS(552) NEC(538) TOSHIBA(389) HITACHI(282) ISC(247) SANYO(238) JMNIC(222) ONSEMI(174) KEXIN(155) PANASONIC(151) SAVANTIC(149) UTC(135) MCC(105) SANKEN(89) TYSEMI(79) SHINDENGEN(59) NJSEMI(58) MITSUBISHI(56) SECOS(30) BL Galaxy Electrical(28) SWST(27) ISAHAYA(25) CJ(22) FOSHAN(21) WEITRON(21) ALLEGRO(16) HTSEMI(15) HOTTECH(13) JCST(13)
功能分类：不限 晶体(42) 晶体管(42) 放大器(14) 光电二极管(26) 开关(23) 局域网(0) 小信号双极晶体管(0) ISM频段(1) 射频小信号双极晶体管(0) 稳压器(0) 功率双极晶体管(0) 功率放大器(1) 微波(0) 高压(0) 驱动器(1) 电视(0) 双极型晶体管(0) 射频(0) 显示器(0) 驱动(0) PC(0) 输出应用(0) 射频双极晶体管(0) CD(0) 射频开关(0) 电源开关(0) 振荡器(0) 闪光灯(0) 转换器(0) DC-DC转换器(0) 射频放大器(0) 输出元件(0) 电话(0) 计数器(0) 计算机(0) 视频放大器(0) 信息通信管理(0) 电子(0) 达林顿晶体管(0) 温度补偿(0) 电机(1) 运算放大器(0)

2SC4 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：79

品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2SC4003
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High breakdown voltage Adoption of MBIT process Excellent hFE linearity
高击穿电压收养MBIT过程中出色的线性度的hFE
2SC4027
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High voltage and large current capcity Adoption of MBIT process Fast switohing time
高电压，大电流capcity收养MBIT过程中快速switohing时间		 晶体 晶体管 开关
2SC4061K
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High breakdown voltage. Low collector output capacitance. Ideal for chroma circuit.
高击穿电压。低集电极输出电容。理想的色度电路。		 晶体 晶体管 光电二极管 放大器
2SC4080
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High Ft High breakdown voltage Small reverse transfer capacitance excellent
高英尺高击穿电压小反向传输电容优异
2SC4081
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Low Cob. Cob=2.0pF (Typ.) Collector-base voltage VCBO 60 V
较低的玉米棒。 COB = 2.0pF （典型值）集电极 - 基极电压VCBO 60 V
2SC4097
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High ICMax. ICMax. = 0.5A Low VCE(sat). Optimal for low voltage operation.
高ICMAX 。 ICMAX 。 = 0.5A的低VCE （SAT） 。最适用于低电压操作。		 信息通信管理
2SC4098
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Low collector capacitance. (Cob : Typ. 1.3pF) noise characteristics.
低集电极电容。 （COB ： 1.3pF典型值）噪声特性。		 晶体 晶体管 光电二极管 放大器
2SC4102
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High breakdown voltage.(VCEO = 120V)
高击穿电压（ VCEO = 120V ）		 晶体 晶体管 光电二极管
2SC4104
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High fT. Small reverse transfer capacitance. Adoption of FBET process.
高英尺。小的反向传输电容。采用FBET过程。		 晶体 晶体管 开关 光电二极管
2SC4115
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.2V (Typ.) NPN silicon transistor
低VCE （SAT） ： VCE （SAT） = 0.2V （典型值） NPN硅晶体管		 晶体 晶体管
2SC4116
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max).
高电压和高电流： VCEO = 50 V ， IC = 150 MA（最大值） 。		 晶体 晶体管 光电二极管
2SC4117
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High voltage High hFE Low noise Small package
高电压高的hFE低噪音小型封装		 晶体 晶体管 光电二极管 放大器
2SC4118
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Excellent hFE linearity : hFE (2) = 25 (min) (VCE = 6 V, IC = 400 mA)
出色的线性度的hFE ： hFE参数（ 2 ）= 25 （分钟） （ VCE = 6 V ， IC = 400 mA）的		 晶体 晶体管 开关 光电二极管
2SC4132
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High breakdown voltage Low collector output capacitance High transition frequency Ft=80MHz)
高击穿电压低集电极输出电容的高转换频率f = 80MHz的）
2SC4134
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High breakdown voltage and large current capacity. Fast switching speed.
高耐压和大电流的能力。快速开关速度。		 开关
2SC4135
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High breakdown voltage and large current capacity. Fast switching speed.
高耐压和大电流的能力。快速开关速度。		 晶体 开关 晶体管
2SC4155A
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Small collector to emitter saturation voltage. Supper mini package for easy mounting.
小集电极到发射极饱和电压。晚餐的迷你包，便于安装。
2SC4173
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High gain bandwidth product: fT=200MHz min.Collector-base voltage VCBO 60 V
高增益带宽积： FT = 200MHz的min.Collector - 基极电压VCBO 60 V		 晶体 晶体管 开关 光电二极管
2SC4177
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High dc current gain High voltage.Collector-base voltage VCBO 60 V
高直流电流增益高voltage.Collector - 基极电压VCBO 60 V
2SC4178
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Micro package. High gain bandwidth product. Low output capacitance.
微型封装。高增益带宽积。低输出电容。		 晶体 晶体管 光电二极管 放大器
2SC4179
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High gain bandwidth product. Low output capacitance. Low noise figure.
高增益带宽积。低输出电容。低噪声系数。		 晶体 晶体管 光电二极管 放大器
2SC4180
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Small dimension High DC current gain Collector-base voltage VCBO 120 V
小尺寸高直流电流增益集电极 - 基极电压VCBO 120 V
2SC4209
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Collector-base voltage VCBO 80 V Emitter-base voltage VEBO 5 V
集电极 - 基极电压VCBO 80 V发射极 - 基极电压VEBO 5 V
2SC4210
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High DC current gain: hFE = 100 320.Collector-base voltage VCBO 35 V
高直流电流增益： hFE参数= 100 320.Collector - 基极电压VCBO 35 V
2SC4213
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). High DC current gain: hFE = 200 1200.
高发射极 - 基极电压： VEBO = 25 V （分钟） 。高直流电流增益： hFE参数= 200 1200 。		 晶体 晶体管 开关 光电二极管
2SC4215
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Small reverse transfer capacitance: Cre = 0.55 pF (typ.)
小的反向传输电容：CRE = 0.55 pF的（典型值）
2SC4226
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Low noise and high gain. NF = 1.2 dB Typ. VCE = 3V, IC= 7 mA, f = 1.0 GHz
低噪声和高增益。 NF = 1.2 dB典型值。 VCE = 3V ， IC = 7 mA时， F = 1.0 GHz的		 晶体 晶体管 光电二极管 放大器
2SC4249
中文翻译 品牌: TYSEMI 		High gain: Gpe = 24dB (typ.) (f = 200 MHz) Excellent forward AGC characteristics
高增益： GPE = 24分贝（ TYP。） （ F = 200 MHz）的优秀前锋AGC特性		 晶体 晶体管 光电二极管 放大器
2SC4253
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Good linearity of fT. Collector-base voltage VCBO 30 V
良好的线性英尺。集电极 - 基极电压VCBO 30 V		 晶体 晶体管 光电二极管 放大器
2SC4306
中文翻译 品牌: TYSEMI 		Low saturation voltage. Fast switching speed. Large current capacity.
低饱和电压。快速开关速度。大电流的能力。		 开关
Total:79123
总79条记录，每页显示30条记录分3页显示。
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