型号等于：	2SC454 (1) 2SC458 (6)
型号起始：	2SC45* (705) 2SC450* (81) 2SC451* (70) 2SC452* (38) 2SC453* (52) 2SC454* (75) 2SC455* (65) 2SC456* (49) 2SC457* (98) 2SC458* (94) 2SC459* (83)
所属品牌：	不限 NEC(115) ETC(86) RENESAS(80) ROHM(73) HITACHI(64) JMNIC(39) ISC(38) SAVANTIC(26) SANKEN(20) NJSEMI(18) SANYO(18) PANASONIC(17) KEXIN(16) TOSHIBA(16) TYSEMI(16) ONSEMI(12) MCC(6) SHINDENGEN(6) UTC(5) ALLEGRO(4) SWST(4) FOSHAN(3) MITSUBISHI(3) BL Galaxy Electrical(2) CDIL(2) CJ(2) FUJI(2) HITACHI-METALS(2) WINNERJOIN(2) COMSET(1) HOTTECH(1)
功能分类：	不限晶体(5) 晶体管(5) 小信号双极晶体管(0) 开关(7) 局域网(0) 放大器(0) 光电二极管(1) 射频小信号双极晶体管(0) ISM频段(0) 功率双极晶体管(0) 微波(0) 稳压器(0) 电视(0) 驱动器(0) 高压(0) PC(0) 电源开关(0) 功率放大器(0) 显示器(0) 射频双极晶体管(0) CD(0) 射频(0) 视频放大器(0) 双极型晶体管(0) 振荡器(0) 驱动(0) 输出元件(0) 输出应用(0) 闪光灯(0) 电话(0)

2SC45 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：16

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SC4505 中文翻译品牌: TYSEMI	High breakdown voltage. (BVCEO = 400V) Low saturation voltage 高击穿电压。（ BVCEO = 400V ），低饱和电压
		2SC4519 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET process. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET过程。低集电极 - 发射极饱和电压。	晶体晶体管开关光电二极管
		2SC4520 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT process. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET ， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。	晶体晶体管开关
		2SC4521 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT process. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET ， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。
		2SC4522 中文翻译品牌: TYSEMI	Large current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. 大电流的能力。低集电极 - 发射极饱和电压。	晶体晶体管开关
		2SC4523 中文翻译品牌: TYSEMI	Large current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. 大电流的能力。低集电极 - 发射极饱和电压。	晶体晶体管开关
		2SC4540 中文翻译品牌: TYSEMI	Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 0.5V (max) (IC = 500mA) Small Flat Package 低饱和电压： VCE （SAT） = 0.5V （最大值）（ IC = 500mA）请小扁包
		2SC4541 中文翻译品牌: TYSEMI	Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 0.5V (max) (IC = 1.5A) Small Flat Package 低饱和电压： VCE （SAT） = 0.5V （最大值）（ IC = 1.5A ）小型扁平封装	晶体晶体管开关
		2SC4543 中文翻译品牌: TYSEMI	High transition frequency fT Small collector output capacitance cob 高转换频率fT的小集电极输出电容芯
		2SC4548 中文翻译品牌: TYSEMI	High Breakdown Voltage Adoption of MBIT Process Excellent hFE Linearlity. 高击穿电压通过MBIT工艺优秀的hFE Linearlity的。	晶体晶体管
		2SC4555 中文翻译品牌: TYSEMI	Very small-sized package Low collector-to-emitter saturation voltage. 极小型封装低集电极 - 发射极饱和电压。
		2SC4562 中文翻译品牌: TYSEMI	High transition frequency fT. Small collector output capacitance cob. 高转换频率fT的。小集电极输出电容科夫。	晶体晶体管光电二极管 ISM频段放大器
		2SC4577 中文翻译品牌: TYSEMI	Low collector-to-emitter saturation voltage. Small-sized package. 低集电极 - 发射极饱和电压。小尺寸封装。	晶体晶体管光电二极管放大器
		2SC4597 中文翻译品牌: TYSEMI	Surface mount type device making the following possible. Adoption of MBIT process. 表面贴装型器件进行以下可能的。通过MBIT过程。
		2SC4598 中文翻译品牌: TYSEMI	Surface mount type device making the following possible. Fast switching speed. 表面贴装型器件进行以下可能的。快速开关速度。	开关
		2SC4599 中文翻译品牌: TYSEMI	Surface mount type device making the following possible. Fast switching speed. 表面贴装型器件进行以下可能的。快速开关速度。	开关

Total:161

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