品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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XP151A11B0MR
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Ultra High-Speed Switching Gate Protect Diode Built-in Driving Voltage : 4.5V 超高速开关门保护二极管内置驱动电压: 4.5V |
二极管 开关 栅 驱动 | |||
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XP151A11B0MR-G
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Ultra High-Speed Switching Gate Protect Diode Built-in Driving Voltage : 4.5V 超高速开关门保护二极管内置驱动电压: 4.5V |
二极管 开关 栅 驱动 |
Total:21
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