描述：最小供电电压(V):10V;最大供电电压(V):13.5V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2.5V;驱动配置:半桥;通道类型:同步;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):40ns;下降时间(ns):20ns;元器件封装:8-MLP（5x6）;