描述：最小供电电压(V):10V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):250mA;峰值输出拉电流(A):500mA;驱动配置:高端;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):15ns;下降时间(ns):10ns;元器件封装:8-SOIC;