描述：最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):18V;峰值输出灌电流(A):4A;峰值输出拉电流(A):4A;驱动配置:低端 ;通道类型:独立式 ;驱动器数:2 ;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET ;上升时间(ns):15ns;下降时间(ns):18ns;元器件封装:8-SOIC;