SI2304DDS-T1-GE3 封装和模型

品牌:VISHAY
描述:漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):3.3A(Ta),3.6A(Tc);类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):6.7nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):1.1W(Ta),1.7W(Tc);栅源耐压Vgs(V):2.2V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:SOT-23-3;

EDA/CDA模型

原理图符号

PCB 封装图

3D模型

其他器件