描述：漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):19A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):2.7 mOhm @ 25A, 4.5V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):55nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):1.6W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±12V;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:8-SOIC;