SI7370DP-T1-GE3 封装和模型

品牌:VISHAY
描述:漏源电压Vdss(V):60 V ;额定电流Id(A):9.6A(Ta) ;最大导通阻抗Ron(mΩ):11 毫欧 @ 12A,10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):57 nC @ 10
EDA/CDA模型
SI7370DP-T1-GE3 封装和模型
EDA/CDA模型