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1N4001GP ... 1N4007GP, 1N4001-Q ... 1N4007-Q  
IFAV = 1 A  
VF < 1.1 V  
Tjmax = 175°C trr  
VRRM = 50...1000 V  
IFSM = 27/30 A  
1N4001GP ... 1N4007GP, 1N4001-Q ... 1N4007-Q  
Standard Recovery Rectifier Diodes  
Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug  
~ 1500 ns  
Version 2017-06-16  
Typical Application  
~DO-41 / ~DO-204AC  
Typische Anwendung  
50/60 Hz Netzgleichrichtung,  
Stromversorgungen, Verpolschutz  
Sonderausführung 1)  
50/60 Hz Mains Rectification,  
Power Supplies, Polarity Protection  
Special grade 1)  
Version -Q: AEC-Q101 compliant 1)  
Version -Q: AEC-Q101 konform 1)  
Ø 2.6±0.2  
Features  
Besonderheit  
Glaspassivierte Sperrschicht  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
Glass passivated junction  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
R
V
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Gegurtet in Ammo-Pack  
Gewicht ca.  
Taped in ammo pack  
5000  
0.4 g  
Ø 0.77±0.07  
Weight approx.  
Case material  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL N/A  
Gehäusematerial  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings 2)  
Grenzwerte 2)  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
1N4001GP / 1N4001-Q  
1N4002GP / 1N4002-Q  
1N4004GP / 1N4004-Q  
1N4005GP / 1N4005-Q  
1N4007GP / 1N4007-Q  
50  
100  
50  
100  
400  
400  
600  
600  
1000  
1000  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 75°C  
TA = 100°C  
1 A 3)  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
0.8 A 3)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
5.4 A 3)  
Peak forward surge current  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
Sinus-Halbwelle  
50 Hz (10 ms)  
60 Hz (8.3 ms)  
27 A  
30 A  
Rating for fusing  
Grenzlastintegral  
t < 10 ms  
3.6 A2s  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+175°C  
-50...+175°C  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
2
3
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
1N4001GP ... 1N4007GP, 1N4001-Q ... 1N4007-Q  
Characteristics  
Kennwerte  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
Tj = 25°C  
IF = 1 A  
VR = VRRM  
VR = 4 V  
VF  
IR  
< 1.1 V  
Leakage current, instantenous  
Sperrstrom, Augenblickswert  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
< 5 µA  
< 50 µA  
Junction capacitance  
Sperrschichtkapzität  
Cj  
typ. 15 pF  
typ. 1500 ns  
< 45 K/W 1)  
< 15 K/W 2)  
Reverse recovery time  
Sperrverzug  
IF = 0.5 A through/über  
IR = 1 A to IR = 0.25 A  
trr  
Thermal resistance junction to ambient  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung  
RthA  
RthL  
Thermal resistance junction to leads  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht  
120  
[%]  
102  
100  
[A]  
10  
Tj = 125°C  
80  
Tj = 25°C  
60  
1
40  
10-1  
IF  
20  
IFAV  
0
50a-(1a-1.1v)  
10-2  
0
TA  
100  
150  
50  
[°C]  
Rated forward current versus ambient temperature1)  
0.4  
1.0  
1.4  
VF 0.8  
1.2  
[V] 1.8  
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)  
Forward characteristics (typical values)  
Durchlasskennlinien (typische Werte)  
102  
[A]  
10  
îF  
1
1
10  
102  
[n]  
103  
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz  
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz  
Disclaimer: See data book page 2 or website  
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet  
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
In 3 mm distance from case  
In 3 mm Abstand vom Gehäuse  
2
http://www.diotec.com/  
© Diotec Semiconductor AG