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1N4001S ... 1N4007S  
IFAV = 1 A  
VF < 1.0 V IFSM = 27/30 A  
Tjmax = 150°C trr ~ 1500 ns  
VRRM = 50...1000 V  
1N4001S ... 1N4007S  
Standard Recovery Rectifier Diodes  
Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug  
Version 2018-10-08  
Typical Application  
Typische Anwendung  
50/60 Hz Netzgleichrichtung,  
Stromversorgungen, Verpolschutz  
Standardausführung  
50/60 Hz Mains Rectification,  
Power Supplies, Polarity Protection  
Commercial grade  
~A-405  
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)  
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)  
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)  
+0.1  
-0.6  
Ø 2.6  
Features  
Thin lead wires  
VRRM up to 1000 V  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Besonderheit  
Dünne Anschlussdrähte  
VRRM bis zu 1000 V  
R
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
V
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Taped in ammo pack  
(on reel on request, suffix R)  
Gegurtet in Ammo-Pack  
(auf Anfrage Rolle, Suffix R)  
5000  
Ø 0.54±0.04  
Weight approx.  
0.4 g  
Gewicht ca.  
Gehäusematerial  
Case material  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL N/A  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings 2)  
Grenzwerte 2)  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
1N4001S  
1N4002S  
1N4003S  
1N4004S  
1N4005S  
1N4006S  
1N4007S/-Q  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 75°C  
TA = 100°C  
1 A 3)  
IFAV  
0.8 A 3)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
IFRM  
5.4 A 3)  
Peak forward surge current  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
Sinus-Halbwelle  
50 Hz (10 ms)  
60 Hz (8.3 ms)  
27 A  
30 A  
IFSM  
i2t  
Rating for fusing – Grenzlastintegral  
t < 10 ms  
3.6 A2s  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
2
3
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
1N4001S ... 1N4007S  
Characteristics  
Kennwerte  
Forward voltage – Durchlass-Spannung  
Tj = 25°C  
IF = 1 A  
VF  
< 1.0 V  
Leakage current  
Sperrstrom  
Tj = 25°C  
Tj = 100°C  
< 5 µA  
< 50 µA  
VR = VRRM  
IR  
Cj  
Typical junction capacitance  
Typische Sperrschichtkapzität  
VR = 4 V  
15 pF  
typ. 1500 ns  
50 K/W 1)  
25 K/W  
Reverse recovery time  
Sperrverzug  
IF = 0.5 A through/über  
IR = 1 A to IR = 0.25 A  
trr  
Typical thermal resistance junction to ambient  
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung  
RthA  
RthL  
Typical thermal resistance junction to lead  
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht  
102  
120  
[%]  
[A]  
10  
100  
Tj = 125°C  
80  
Tj = 25°C  
1
60  
40  
10-1  
IF  
20  
IFAV  
0
50a-(1a-1.1v)  
10-2  
0.4  
1.0  
1.4  
VF 0.8  
1.2  
[V] 1.8  
0
TA  
100  
150  
50  
[°C]  
Rated forward current versus ambient temperature1)  
Forward characteristics (typical values)  
Durchlasskennlinien (typische Werte)  
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)  
102  
[A]  
10  
îF  
1
1
10  
102  
[n]  
103  
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz  
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz  
Disclaimer: See data book page 2 or website  
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet  
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
2
http://www.diotec.com/  
© Diotec Semiconductor AG