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1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518  
1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13,  
EM513, EM516, EM518  
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden  
Version 2009-10-16  
Nominal current  
Nennstrom  
1 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50...2000 V  
Ø 2.6-0.1  
Plastic case  
DO-41  
Kunststoffgehäuse  
DO-204AL  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 0.77±0.07  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
1N4001  
1N4002  
1N4003  
1N4004  
1N4005  
1N4006  
1N4007  
1N4007-13  
EM513  
50  
100  
50  
100  
200  
200  
400  
400  
600  
600  
800  
800  
1000  
1300  
1600  
1800  
2000  
1000  
1300  
1600  
1800  
2000  
EM516  
EM518  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 75°C  
TA = 100°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
1 A 1)  
0.8 A 1)  
10 A 1)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
50/55 A  
12.5 A2s  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+175°C  
-50...+175°C  
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518  
Characteristics  
Kennwerte  
Forward voltage – Durchlass-Spannung  
Tj = 25°C  
IF = 1 A  
VF  
< 1.1 V  
Leakage current  
Sperrstrom  
Tj = 25°C  
Tj = 100°C  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
IR  
IR  
< 5 µA  
< 50 µA  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to leads  
RthL  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht  
102  
[A]  
10  
120  
[%]  
100  
Tj = 125°C  
80  
Tj = 25°C  
60  
1
40  
10-1  
IF  
20  
IFAV  
0
50a-(1a-1.1v)  
10-2  
0.4  
1.0  
1.4  
VF 0.8  
1.2  
[V] 1.8  
0
TA  
100  
150  
50  
[°C]  
Rated forward current versus ambient temperature1)  
Forward characteristics (typical values)  
Durchlasskennlinien (typische Werte)  
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)  
102  
[A]  
10  
îF  
1
1
10  
102  
[n]  
103  
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz  
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz  
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
2
http://www.diotec.com/  
© Diotec Semiconductor AG