型号等于: | BS616LV1010EI (2) |
型号起始: | BS616LV1010EI* (10) BS616LV1010EI5* (1) BS616LV1010EI7* (1) BS616LV1010EIG* (3) BS616LV1010EIP* (3) |
所属品牌: | 不限 BSI(9) |
功能分类: | 不限 静态存储器(9) 存储(4) 内存集成电路(4) 光电二极管(4) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV1010EI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1010EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV1010EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 |
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