型号等于：	ES29LV400E (2)
型号起始：	ES29LV400E* (9) ES29LV400E-* (3) ES29LV400EB* (1) ES29LV400ET* (3)
所属品牌：	不限 EXCELSEMI(8)
功能分类：	不限闪存(2) 内存集成电路(2) 光电二极管(1)

ES29LV400E - 型号起始 - EXCELSEMI; 总记录数：8

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		ES29LV400E 中文翻译品牌: EXCELSEMI	4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory 为4Mbit （ 512Kx 8 / 256K ×16 ）的CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存	闪存
		ES29LV400E-12RTG 中文翻译品牌: EXCELSEMI	32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory 32兆（ 4M ×8 / 2M ×16 ）的CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存	闪存
		ES29LV400E-90RTG 中文翻译品牌: EXCELSEMI	8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory 的8Mbit （ 1M ×8 / 512K ×16 ）的CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存	闪存
		ES29LV400E-90RWCI 中文翻译品牌: EXCELSEMI	4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory 为4Mbit （ 512Kx 8 / 256K ×16 ）的CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存	闪存
		ES29LV400EB-12TG 中文翻译品牌: EXCELSEMI	16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory 16兆（ 2M ×8 / 1M ×16 ）的CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存	闪存
		ES29LV400ET-70WC 中文翻译品牌: EXCELSEMI	16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory 16兆（ 2M ×8 / 1M ×16 ）的CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存	闪存内存集成电路
		ES29LV400ET-90RTGI 中文翻译品牌: EXCELSEMI	4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory 为4Mbit （ 512Kx 8 / 256K ×16 ）的CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存	闪存
		ES29LV400ET-90TGI 中文翻译品牌: EXCELSEMI	16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory 16兆（ 2M ×8 / 1M ×16 ）的CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存	闪存内存集成电路光电二极管

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