| 型号等于： | 1MBH10D-120 (1) |
| 型号起始： | 1MBH10D-12* (3) 1MBH10D-120* (3) |
| 所属品牌： | 不限 FUJI(3) |
| 功能分类： | 不限 晶体(1) 晶体管(1) 功率控制(1) 双极性晶体管(1) 栅(2) 局域网(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1MBH10D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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1MBH10D-120-S06TT
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, | 栅 | |||
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1MBH10D-120_09
中文翻译 品牌: FUJI |
1200V / 10A Molded Package 1200V / 10A塑模封装 |
Total:31
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