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BGS16GA14
中文翻译 品牌: INFINEON
BGS16GA14 是一款单极六掷(SP6T)分集开关模块,针对高达 3.8 GHz 的无线应用进行了优化。作为引脚和功能兼容的 SP3T-SP8T 产品系列的一部分,其设计为满足芯片组参考设计的要求。该模块采用微型 ATSLP 封装,包括一个具有集成  GPIO 接口的高功率 CMOS SP8T 手机 开关 LTE 无线 射频 射频开关
BGS18GA14
中文翻译 品牌: INFINEON
BGS18GA14 是一款单极八掷(SP8T)分集模块,针对高达 3.8 GHz 的无线应用进行了优化。作为引脚和功能兼容的 SP3T-SP8T 产品系列的一部分,其设计为满足芯片组参考设计的要求。该模块采用微型 ATSLP 封装,包括一个具有集成  GPIO 接口的高功率 CMOS SP8T 开关 手机 开关 LTE 无线 射频 射频开关
CGY96
中文翻译 品牌: INFINEON
GaAs MMIC (Power amplifier for GSM class 4 phones 3.2 W 35dBm output power at 3.5 V Overall power added efficiency 50%)
砷化镓MMIC (在3.5 V总功率附加效率50 %电
放大器 射频 微波 手机 GSM 高功率电源
IPA70R360P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS™ P7 在 手机 电脑
IPA70R600P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS™ P7 在 手机 电脑
IPA70R900P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS™ P7 在 手机 电脑
IPAN70R360P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS? P7?超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS? P7 在诸多 手机 电脑
IPAN70R600P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS™ P7 在诸多 手机 电脑
IPAN70R750P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS™ P7 在诸多 手机 电脑
IPD70R1K4P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电 手机
IPD70R360P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电 手机
IPD70R600P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电 手机
IPD70R900P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电 手机
IPS70R1K4P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS? P7 在 手机 电脑
IPS70R360P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS? P7 在 手机 电脑
IPS70R600P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS? P7 在 手机 电脑
IPS70R900P7S
中文翻译 品牌: INFINEON
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS™ P7 在 手机 电脑
Q62702G63
中文翻译 品牌: INFINEON
GaAs MMIC (Power amplifier for GSM class 4 phones 3.2 W 35dBm output power at 3.5 V Overall power added efficiency 50%)
砷化镓MMIC (在3.5 V总功率附加效率50 %电
放大器 手机 GSM
WCDSC006
中文翻译 品牌: INFINEON
半桥栅极驱动器 EiceDRIVER? WCDSC006 尤为适于驱动半桥逆变器配置中的高边及低边 MOSFET,特别是在智能手机的感应无线充电技术中。 手机 无线 栅极驱动 智能手机 驱动器
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