| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF8301MPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Ultra-low Package Inductance | ||||
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IRF8301MPBF_15
中文翻译 品牌: INFINEON |
Ultra-low Package Inductance | ||||
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IRF8301MTRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
DirectFETPower MOSFET | |||
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IRF8302MPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Dual Sided Cooling Compatible | ||||
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IRF8302MPBF_15
中文翻译 品牌: INFINEON |
Dual Sided Cooling Compatible | ||||
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IRF8302MTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF8304MPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Ultra Low Package Inductance | ||||
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IRF8304MPBF_15
中文翻译 品牌: INFINEON |
Ultra Low Package Inductance | ||||
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IRF8304MTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF8306MPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Integrated Monolithic Schottky Diode | ||||
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IRF8306MPBF_15
中文翻译 品牌: INFINEON |
Integrated Monolithic Schottky Diode | ||||
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IRF8306MTR1PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:DIRECTFET™ MX; | |||
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IRF8306MTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode | |||
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IRF8308MPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide 符合RoHS标准不含铅和溴化物 |
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IRF8308MPBF_15
中文翻译 品牌: INFINEON |
Dual Sided Cooling Compatible | ||||
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IRF8308MTR1PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide | |||
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IRF8308MTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide 符合RoHS标准不含铅和溴化物 |
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IRF830A
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF830AL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 1.40ohm ，ID = 5.0A ） |
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IRF830ALPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF830APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF830AS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 1.40ohm ，ID = 5.0A ） |
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IRF830ASPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF830ASTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF830ASTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | ||||
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IRF830F
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRF830PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF830S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON） = 1.5ohm ，ID = 4.5A ） |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRF830SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF831-006
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 |