| 型号等于： | IRFPC50 (2) |
| 型号起始： | IRFPC5* (11) IRFPC50* (11) |
| 所属品牌： | 不限 VISHAY(6) INFINEON(5) |
| 功能分类： | 不限 晶体(3) 晶体管(3) 功率场效应晶体管(2) 开关(3) 脉冲(3) 局域网(3) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFPC50
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A) 功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） = 0.60ohm ，ID = 11A） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFPC50A
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.58ohm, Id=11A) 功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON）最大值= 0.58ohm ，ID = 11A） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFPC50APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢Power MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFPC50LC
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A) 功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） = 0.60ohm ，ID = 11A） |
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IRFPC50LCPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRFPC50PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):600V;额定电流Id(A):11A（Tc）;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):140nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):180W（Tc）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO | 栅 栅极 |
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