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品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
G1000QC25B
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
Littelfuse提供种类广泛的高规格器件,其额定电压高达4.5kV (2.8kV直流母线),可控额定电流高达4kA,可满足诸如牵引推进和辅助设备、交流工业驱动器、FACT和有源VAr控制器等应 驱动 控制器 驱动器
G2000HF250
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
Littelfuse提供种类广泛的高规格器件,其额定电压高达4.5kV (2.8kV直流母线),可控额定电流高达4kA,可满足诸如牵引推进和辅助设备、交流工业驱动器、FACT和有源VAr控制器等应 驱动 控制器 驱动器
G2500HF250
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
Littelfuse提供种类广泛的高规格器件,其额定电压高达4.5kV (2.8kV直流母线),可控额定电流高达4kA,可满足诸如牵引推进和辅助设备、交流工业驱动器、FACT和有源VAr控制器等应 驱动 控制器 驱动器
G3000TF450
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
Littelfuse提供种类广泛的高规格器件,其额定电压高达4.5kV (2.8kV直流母线),可控额定电流高达4kA,可满足诸如牵引推进和辅助设备、交流工业驱动器、FACT和有源VAr控制器等应 驱动 控制器 驱动器
H0500KC200
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
Littelfuse提供种类广泛的高规格器件,其额定电压高达4.5kV (2.8kV直流母线),可控额定电流高达4kA,可满足诸如牵引推进和辅助设备、交流工业驱动器、FACT和有源VAr控制器等应 驱动 控制器 驱动器
H0500KC20Y
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
Littelfuse提供种类广泛的高规格器件,其额定电压高达4.5kV (2.8kV直流母线),可控额定电流高达4kA,可满足诸如牵引推进和辅助设备、交流工业驱动器、FACT和有源VAr控制器等应 驱动 控制器 驱动器
H0500KC25Y
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
Littelfuse提供种类广泛的高规格器件,其额定电压高达4.5kV (2.8kV直流母线),可控额定电流高达4kA,可满足诸如牵引推进和辅助设备、交流工业驱动器、FACT和有源VAr控制器等应 驱动 控制器 驱动器
H0700KC14Y
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
Littelfuse提供种类广泛的高规格器件,其额定电压高达4.5kV (2.8kV直流母线),可控额定电流高达4kA,可满足诸如牵引推进和辅助设备、交流工业驱动器、FACT和有源VAr控制器等应 驱动 控制器 驱动器
H1200NC200
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
Littelfuse提供种类广泛的高规格器件,其额定电压高达4.5kV (2.8kV直流母线),可控额定电流高达4kA,可满足诸如牵引推进和辅助设备、交流工业驱动器、FACT和有源VAr控制器等应 驱动 控制器 驱动器
H1200NC20Y
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
Littelfuse提供种类广泛的高规格器件,其额定电压高达4.5kV (2.8kV直流母线),可控额定电流高达4kA,可满足诸如牵引推进和辅助设备、交流工业驱动器、FACT和有源VAr控制器等应 驱动 控制器 驱动器
IXTA64N10L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTH110N10L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTH140N075L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTH15N50L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTH30N50L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTH30N60L2 EDA模型
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTH38N30L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTH58N25L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTH60N20L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTH80N075L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTK110N20L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTK200N10L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTK240N075L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTK60N50L2 EDA模型
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 局域网 开关 脉冲 晶体管
IXTK90N25L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTN110N20L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 局域网 开关 脉冲 晶体管
IXTN200N10L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 局域网 开关 脉冲 晶体管
IXTN240N075L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTN60N50L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
IXTN80N30L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 开关
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