型号起始：	JS28F256* (55) JS28F256J* (17) JS28F256M* (4) JS28F256P* (34)
所属品牌：	不限 MICRON(24) NUMONYX(16) INTEL(15)
功能分类：	不限闪存(8) 存储(9) 内存集成电路(4) 光电二极管(4) PC(6) 时钟(0)

JS28F256 - 型号起始 - MICRON; 总记录数：24

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		JS28F256J3F105A 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F256J3F105B 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F256M29EWHA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F256M29EWHB 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F256M29EWLA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F256M29EWLB 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F256P30B 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储
		JS28F256P30B95A 中文翻译品牌: MICRON	Numonyx StrataFlash Embedded Memory 恒忆的StrataFlash嵌入式存储器	存储内存集成电路光电二极管
		JS28F256P30BFA 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F256P30BFB 中文翻译品牌: MICRON	1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
		JS28F256P30BFE EDA模型中文翻译品牌: MICRON	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm 256MB和512MB （256 / 256MB ）， P30-65nm
		JS28F256P30BFF 中文翻译品牌: MICRON	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm 256MB和512MB （256 / 256MB ）， P30-65nm
		JS28F256P30T95A 中文翻译品牌: MICRON	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
		JS28F256P30TFA 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F256P30TFE EDA模型中文翻译品牌: MICRON	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm 256MB和512MB （256 / 256MB ）， P30-65nm
		JS28F256P33B95A EDA模型中文翻译品牌: MICRON	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
		JS28F256P33B95B 中文翻译品牌: MICRON	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
		JS28F256P33BF 中文翻译品牌: MICRON	NumonyxTM StrataFlash Embedded Memory NumonyxTM的StrataFlash嵌入式存储器	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F256P33BFA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F256P33BFE EDA模型中文翻译品牌: MICRON	NumonyxTM StrataFlash Embedded Memory NumonyxTM的StrataFlash嵌入式存储器	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F256P33T95A EDA模型中文翻译品牌: MICRON	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
		JS28F256P33T95B 中文翻译品牌: MICRON	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
		JS28F256P33TFA 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F256P33TFE EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC

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