型号等于: | M25PX80 (2) |
型号起始: | M25PX80* (76) M25PX80-* (21) M25PX80S* (47) M25PX80V* (6) |
所属品牌: | 不限 NUMONYX(66) MICRON(9) |
功能分类: | 不限 光电二极管(2) 可编程只读存储器(0) 电动程控只读存储器(0) 电可擦编程只读存储器(0) 时钟(2) 内存集成电路(2) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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M25PX80
中文翻译 品牌: MICRON |
M25PX80 NOR Serial Flash Embedded Memory | ||||
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M25PX80-VMN3TPBTR
中文翻译 品牌: MICRON |
存储容量(Mb):8Mb(1M x 8);内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;最大时钟频率(MHz):75 MHz;最大存取时间(ns):15ms,5ms;最小工作电压(V):2.3V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:8-SOIC; | 时钟 存储 | |||
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M25PX80-VMN6P
中文翻译 品牌: MICRON |
8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface | |||
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M25PX80-VMN6TP
中文翻译 品牌: MICRON |
8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface | |||
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M25PX80-VMN6TPBATR
中文翻译 品牌: MICRON |
存储容量(Mb):8Mb(1M x 8);内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;最大时钟频率(MHz):75 MHz;最大存取时间(ns):15ms,5ms;最小工作电压(V):2.3V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:8-SOIC; | 时钟 存储 | |||
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M25PX80-VMN6TPTR
中文翻译 品牌: MICRON |
存储容量(Mb):8Mb(1M x 8);内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;最大时钟频率(MHz):75 MHz;元器件封装:8-SO; | 时钟 存储 | |||
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M25PX80-VMP6G
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface | |||
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M25PX80-VMP6TG
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
M25PX80 NOR Serial Flash Embedded Memory | 时钟 光电二极管 内存集成电路 | ||
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M25PX80-VMP6TGTR
中文翻译 品牌: MICRON |
存储容量(Mb):8Mb(1M x 8);内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;最大时钟频率(MHz):75 MHz;元器件封装:8-VFQFPN(6x5); | 时钟 存储 | |||
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M25PX80-VMS6G
中文翻译 品牌: MICRON |
8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface | ||||
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M25PX80-VMS6TG
中文翻译 品牌: MICRON |
8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface | ||||
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M25PX80-VMW6G
中文翻译 品牌: MICRON |
8Mb, Dual I/O, 4KB Subsector Erase, 3V Serial NOR Flash Memory with 75 MHz Serial Peripheral Interface | |||
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M25PX80-VMW6TG
中文翻译 品牌: MICRON |
M25PX80 NOR Serial Flash Embedded Memory | 时钟 光电二极管 内存集成电路 | ||
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M25PX80-VMW6TGTR
中文翻译 品牌: MICRON |
存储容量(Mb):8Mb(1M x 8);内存数据长度(bit):1M ;字编码数(k):1M ;最大时钟频率(MHz):75 MHz;元器件封装:8-SO W; | 时钟 存储 |
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