| 型号起始： | DTB123EKT* (2) DTB123EKT1* (1) DTB123EKT2* (1) |
| 所属品牌： | 不限 ROHM(2) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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DTB123EKT146
中文翻译 品牌: ROHM |
CE结击穿电压Vceo(V):50V;类型:PNP - Pre-Biased;CE结饱和压降Vce(sat):300mV @ 2.5mA, 50mA;变换频率ft(MHz):200MHz;最大耗散功率Pd(W):200mW;元器件封装:SOT-23-3; | |||
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DTB123EKT246
中文翻译 品牌: ROHM |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN |
Total:21
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