品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1SS355VMFHTE-17
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流(Io):100mA;反向恢复时间(trr):4ns;正向压降(Vf):1.2V@100mA;最大反向电流(Ir):100nA@80V;最大工作结温(Tj):+150℃@(Tj);通道数:独立式;元器件封装:SOD-323F; | |||
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1SS400CMT2R
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:150°C ;最大工作结温(Tj):150°C ;元器件封装:VMN2M; | |||
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1SS400GT2R
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流(Io):100mA;反向恢复时间(trr):4ns;正向压降(Vf):1.2V@100mA;最大反向电流(Ir):100nA@80V;最大工作结温(Tj):+150℃@(Tj);通道数:独立式;元器件封装:SOD-723; | |||
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1SS400SMT2R
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流(Io):100mA;反向恢复时间(trr):4ns;正向压降(Vf):1.2V@100mA;最大反向电流(Ir):100nA@80V;最大工作结温(Tj):+150℃@(Tj);通道数:独立式;元器件封装:SOD-523; | |||
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1SS400TE61
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:125°C(最大) ;平均整流电流(Io):100mA;反向恢复时间(trr):4ns;正向压降(Vf):1.2V@100mA;最大反向电流(Ir):100nA@80V;最大工作结温(Tj):125°C(最大) ;元器件封装:EMD2; | |||
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BAV199HMT116
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:150°C(最大);最大反向电流(Ir):5 nA @ 75 V;最大工作结温(Tj):150°C(最大);通道数:标准;元器件封装:SSD3; | ||||
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BAV70HMFHT116
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:150°C (Max);反向峰值电压(Vr):80V;平均整流电流(Io):215mA;反向恢复时间(trr):4ns;正向压降(Vf):1.25V @ 150mA;最大反向电流(Ir):500nA @ 80V;最大工作结温(Tj):150°C (Max);通道数:Standard; | |||
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BAV99HMT116
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:-65°C ~ 150°C;最小工作结温:-65°C;平均整流电流(Io):215mA;反向恢复时间(trr):4ns;正向压降(Vf):1.25V@150mA;最大反向电流(Ir):100nA@80V;最大工作结温(Tj): 150°C;通道数:1对串联式; | |||
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BD2221G-LB
中文翻译 品牌: ROHM |
本产品是面向工业设备市场的产品,保证长期稳定供货。 是适合这些用途的产品。存储卡插槽用高边开关为用于存储卡插槽电源线的带过电流限制功能的高边开关IC。开关部内置了1个电路的低导通电阻N沟道MOSFET。还内置了过温检测、欠压锁定、软启动等功能。 | 开关 软启动 存储 | |||
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BD82000FVJ-LB
中文翻译 品牌: ROHM |
本产品是面向工业设备市场的产品,保证长期稳定供货。 是适合这些用途的产品。USB端口用单路高边开关内置了1个通道的用于通用串行总线(USB)电源线的高边开关。电源开关部内置了1个电路的低导通电阻N沟道MOSFET。还内置了过电流检测、过温检测、欠压锁定、软启动等功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82001FVJ-LB
中文翻译 品牌: ROHM |
本产品是面向工业设备市场的产品,保证长期稳定供货。 是适合这些用途的产品。USB端口用单路高边开关内置了1个通道的用于通用串行总线(USB)电源线的高边开关。电源开关部内置了1个电路的低导通电阻N沟道MOSFET。还内置了过电流检测、过温检测、欠压锁定、软启动等功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82004FVJ-M
中文翻译 品牌: ROHM |
USB端口用单路高边开关为内置1个通道用于通用串行总线(USB)电源线的高边开关。电源开关部内置了1个电路的低导通电阻N沟道MOSFET。还内置了过电流检测、过温检测、欠压锁定、软启动等功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82005FVJ-M
中文翻译 品牌: ROHM |
USB端口用单路高边开关为内置1个通道用于通用串行总线(USB)电源线的高边开关。电源开关部内置了1个电路的低导通电阻N沟道MOSFET。还内置了过电流检测、过温检测、欠压锁定、软启动等功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82038FVJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD82038FVJ内置一个高边开关,用于通用串行总线(USB)电源线。电源开关部内置了一个低导通电阻的N沟道MOSFET。另外,这款具有过流限制、过温保护、欠压锁定和软启动功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82039FVJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD82039FVJ内置一个高边开关,用于通用串行总线(USB)电源线。电源开关部内置了一个低导通电阻的N沟道MOSFET。另外,这款具有过流限制、过温保护、欠压锁定和软启动功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82040FVJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD82040FVJ内置一个高边开关,用于通用串行总线(USB)电源线。电源开关部内置了一个低导通电阻的N沟道MOSFET。另外,这款具有过流限制、过温保护、欠压锁定和软启动功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82041FVJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD82041FVJ内置一个高边开关,用于通用串行总线(USB)电源线。电源开关部内置了一个低导通电阻的N沟道MOSFET。另外,这款具有过流限制、过温保护、欠压锁定和软启动功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82042FVJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD82042FVJ内置一个高边开关,用于通用串行总线(USB)电源线。电源开关部内置了一个低导通电阻的N沟道MOSFET。另外,这款具有过流限制、过温保护、欠压锁定和软启动功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82043FVJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD82043FVJ内置一个高边开关,用于通用串行总线(USB)电源线。电源开关部内置了一个低导通电阻的N沟道MOSFET。另外,这款具有过流限制、过温保护、欠压锁定和软启动功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82044FVJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD82044FVJ内置一个高边开关,用于通用串行总线(USB)电源线。电源开关部内置了一个低导通电阻的N沟道MOSFET。另外,这款具有过流限制、过温保护、欠压锁定和软启动功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82045FVJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD82045FVJ内置一个高边开关,用于通用串行总线(USB)电源线。电源开关部内置了一个低导通电阻的N沟道MOSFET。另外,这款具有过流限制、过温保护、欠压锁定和软启动功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82046FVJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD82046FVJ内置一个高边开关,用于通用串行总线(USB)电源线。电源开关部内置了一个低导通电阻的N沟道MOSFET。另外,这款具有过流限制、过温保护、欠压锁定和软启动功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82047FVJ
中文翻译 品牌: ROHM |
BD82047FVJ内置一个高边开关,用于通用串行总线(USB)电源线。电源开关部内置了一个低导通电阻的N沟道MOSFET。另外,这款具有过流限制、过温保护、欠压锁定和软启动功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82061FVJ-LB
中文翻译 品牌: ROHM |
本产品是面向工业设备市场的产品,保证长期稳定供货。 是适合这些用途的产品。USB端口用单路高边开关内置了1个通道的用于通用串行总线(USB)电源线的高边开关。电源开关部内置了1个电路的低导通电阻N沟道MOSFET。还内置了过电流检测、过温检测、欠压锁定、软启动等功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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BD82065FVJ-LB
中文翻译 品牌: ROHM |
本产品是面向工业设备市场的产品,保证长期稳定供货。 是适合这些用途的产品。USB端口用单路高边开关内置了1个通道的用于通用串行总线(USB)电源线的高边开关。电源开关部内置了1个电路的低导通电阻N沟道MOSFET。还内置了过电流检测、过温检测、欠压锁定、软启动等功能。 | 开关 软启动 电源开关 | |||
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DA204UFHT106
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1V@10mA;最大反向电流(Ir):100nA@15V;最大工作结温(Tj):+150℃@(Tj);通道数:1对串联式;元器件封装:SOT-323; | |||
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DAN217WTL
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:150°C (Max);反向峰值电压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;反向恢复时间(trr):4ns;正向压降(Vf):1.2V @ 100mA;最大反向电流(Ir):100nA @ 70V;最大工作结温(Tj):150°C (Max);通道数:Standard; | |||
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DAP222MFHT2L
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
最大反向电流(Ir):100 nA @ 70 V;最大工作结温(Tj):150°C(最大);通道数:标准;元器件封装:VMD3; | |||
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DAP222WMTL
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:150°C (Max);反向峰值电压(Vr):80V;反向恢复时间(trr):4ns;正向压降(Vf):1.2V @ 100mA;最大反向电流(Ir):100nA @ 70V;最大工作结温(Tj):150°C (Max);通道数:Standard; | |||
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EMN11T2R
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
工作温度:150°C (Max);反向峰值电压(Vr):80V;反向恢复时间(trr):4ns;正向压降(Vf):1.2V @ 100mA;最大反向电流(Ir):100nA @ 70V;最大工作结温(Tj):150°C (Max);通道数:Standard; |