品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF521
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 局域网 | ||
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IRF531
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF532
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF533
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRF541
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
Total:61
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