| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF630
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | |||
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IRF631
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | |||
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IRF634
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
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