| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF9510
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF9511
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF9513
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF9520
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF9521
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF9522
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF9530
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9531
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
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IRF9532
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
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IRF9533
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9540
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
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IRF9541
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
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IRF9542
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9543
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 |
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