| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFP331
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP332
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP333
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
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