| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
IRFR211
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 晶体管 | |||
|
IRFR220-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
|
IRFR222-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 |
Total:31
总3条记录，每页显示30条记录分1页显示。