品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
IRFR220-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
Total:11
总1条记录,每页显示30条记录分1页显示。
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
IRFR220-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |