| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR9010
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | ||
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IRFR9012-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9014
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR9014-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9015-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9020-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 50V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9110
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 晶体管 | |||
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IRFR9120
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 晶体管 | |||
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IRFR9210
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 晶体管 | |||
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IRFR9210-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9212-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | ||||
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IRFR9220
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 晶体管 |
Total:121
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