品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR9210
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 晶体管 | |||
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IRFR9210-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9212-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 |
Total:31
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