品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFS252
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS253
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS254A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 脉冲 晶体管 |
Total:31
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