| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFS820
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS821
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS822
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 晶体管 |
Total:31
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