品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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132GH120-212CTVF
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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1602GB061-459CTVF
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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302GDL061-458CTVF
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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302GDL061-458CTVU
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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5961-01-205-1621
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 800V V(DRM) | 栅 栅极 | |||
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S1M
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Standard silicon rectifier diodes 标准硅整流二极管 |
栅极 整流二极管 | |||
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SEMIX101GD126HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX101GD12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX101GD12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
positive temperature coefficient 正温度系数 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX151GAL12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX151GAL12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 231A I(C), 1200V V(BR)CES | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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SEMIX151GB12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX151GB12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
positive temperature coefficient 正温度系数 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX151GD126HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX151GD12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX151GD12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 231A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SEMIX 13, 20 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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SEMIX155MLI07E4
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 650V V(BR)CES, | 栅 | |||
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SEMIX202GB066HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX202GB12E4S
EDA模型
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX202GB12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 310A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SEMIX 2S, 16 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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SEMIX205GD12E4
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 栅 | |||
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SEMIX205MLI07E4
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 205A I(C), 650V V(BR)CES, | 栅 | |||
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SEMIX223GB12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
High short circuit capability 高抗短路能力强 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX223GD12E4C
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX223GD12VC
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
High short circuit capability 高抗短路能力强 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX241DH16S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Bridge Rectifier Module(halfcontrolled) 整流桥模块( halfcontrolled ) |
栅极 触发装置 可控硅整流器 局域网 | ||
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SEMIX252GB126HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX302GAR12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX302GB066HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX302GB126HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 |