型号起始：	2SA14* (768) 2SA140* (72) 2SA141* (149) 2SA142* (40) 2SA143* (43) 2SA144* (5) 2SA145* (80) 2SA146* (193) 2SA147* (47) 2SA148* (77) 2SA149* (62)
所属品牌：	不限 NEC(142) ETC(141) RENESAS(108) KEXIN(85) TOSHIBA(68) SANYO(39) ROHM(25) ONSEMI(24) ISC(23) SANKEN(18) TYSEMI(18) HITACHI(15) JMNIC(14) SAVANTIC(14) PANASONIC(10) NJSEMI(7) MCC(4) FOSHAN(3) Wing Shing(3) SWST(2) WINNERJOIN(2) ALLEGRO(1) MOSPEC(1) TRSYS(1)
功能分类：	不限晶体(8) 晶体管(8) 开关(9) 光电二极管(1) 放大器(0) 局域网(0) 高压(0) ISM频段(0) 小信号双极晶体管(0) 功率双极晶体管(0) 显示器(0) 射频小信号双极晶体管(0) 功率放大器(0) 电视(0) 输出元件(0) 输出应用(0) 转换器(0) 电源开关(0) 闪光灯(0) 驱动(0) 驱动器(0) PC(0) 视频放大器(0)

2SA14 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：18

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SA1400-Z 中文翻译品牌: TYSEMI	High Voltage: VCEO=-400V High speed:tr 1.0Ã¬s Collector to Base Voltage VCBO -400 V 高电压： VCEO = -400V高速： TR 1.0Ã¬s集电极 - 基极电压VCBO -400 V	晶体晶体管开关
		2SA1411 中文翻译品牌: TYSEMI	Very high DC current gain:hFE=500 to 1600. High VEBO Voltage:VEBO=-10V 非常高的DC电流增益：的hFE = 500〜 1600高VEBO电压： VEBO = -10V
		2SA1412-Z 中文翻译品牌: TYSEMI	High Voltage: VCEO=-400V High speed:tr 0.7Ã¬s Collector to Base Voltage VCBO -400 V 高电压： VCEO = -400V高速： TR 0.7Ã¬s集电极 - 基极电压VCBO -400 V	晶体晶体管开关
		2SA1413-Z 中文翻译品牌: TYSEMI	High Voltage: VCEO=-600V High speed:tr 1.0Ã¬s Collector to Base Voltage VCBO -600 V 高电压： VCEO = -600V高速： TR 1.0Ã¬s集电极 - 基极电压VCBO -600 V	晶体晶体管开关
		2SA1415 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET Process High Breakdown Voltage (VCEO = 160V) 采用FBET工艺高击穿电压（ VCEO = 160V ）
		2SA1416 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大	晶体晶体管开关
		2SA1417 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大
		2SA1418 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大
		2SA1419 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的， MBIT流程击穿电压高，电流容量大	晶体晶体管开关
		2SA1434 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=500 to 1200). 采用FBET过程。高直流电流增益（HFE = 500〜 1200）。
		2SA1455K 中文翻译品牌: TYSEMI	High breakdown voltage:VCEO=-120V Low noise design:NF=0.2dB(Typ.) 高击穿电压VCEO = -120V低噪音设计： NF = 0.2分贝（典型值）	晶体晶体管光电二极管放大器
		2SA1461 中文翻译品牌: TYSEMI	High speed switching: tstg=110ns. High gain bandwidth product: fT=510MHz. 高速开关： TSTG = 110ns的。高增益带宽积： FT = 510MHz 。	晶体开关晶体管光电二极管
		2SA1462 中文翻译品牌: TYSEMI	High speed,high voltage switching. High ft:fT=1800MHz TYP. Low Cob:Cob=2.0pF TYP. 高速，高电压开关。高FT ： FT = 1800MHz的TYP 。较低的玉米棒：玉米棒= 2.0pF典型值。	开关
		2SA1463 中文翻译品牌: TYSEMI	High speed,high voltage switching. Low Collector Saturation Voltage 高速，高电压开关。低集电极饱和电压	晶体开关晶体管
		2SA1464 中文翻译品牌: TYSEMI	High fT: fT=400MHz. Collector-base voltage VCBO -60 V 高的fT ： FT = 400MHz的。集电极 - 基极电压VCBO -60 V
		2SA1468 中文翻译品牌: TYSEMI	High voltage amplifier. Collector to base voltage VCBO -180 V 高电压放大器。集电极基极电压VCBO -180 V	晶体放大器晶体管光电二极管
		2SA1483 中文翻译品牌: TYSEMI	High Transition Frequency: fT = 200MHz(typ.) Complementary to 2SC3803 高转换频率： FT =为200MHz （典型值）。为了配合2SC3803	晶体晶体管开关
		2SA1484 中文翻译品牌: TYSEMI	Collector to base voltage VCBO -90 V Collector to emitter voltage VCEO -90 V 集电极基极电压VCBO -90 V集电极到发射极电压VCEO -90 V	光电二极管

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