型号等于:2SA1411 (2) 2SA1412 (1) 2SA1413 (1) 2SA1415 (3) 2SA1416 (4) 2SA1417 (4) 2SA1418 (4) 2SA1419 (3)
型号起始:2SA141* (149) 2SA1411* (8) 2SA1412* (28) 2SA1413* (30) 2SA1415* (14) 2SA1416* (16) 2SA1417* (15) 2SA1418* (18) 2SA1419* (20)
所属品牌:不限 KEXIN(44) NEC(26) RENESAS(25) ETC(20) SANYO(13) ONSEMI(12) TYSEMI(8) SWST(1)
功能分类:不限 开关(4) 晶体管(4) 高压(0) 晶体(4) 功率双极晶体管(0) 小信号双极晶体管(0) 光电二极管(0) 驱动器(0)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
2SA1411
中文翻译 品牌: TYSEMI
Very high DC current gain:hFE=500 to 1600. High VEBO Voltage:VEBO=-10V
非常高的DC电流增益:的hFE = 500〜 1600高VEBO电压: VEBO = -10V
2SA1412-Z
中文翻译 品牌: TYSEMI
High Voltage: VCEO=-400V High speed:tr 0.7ìs Collector to Base Voltage VCBO -400 V
高电压: VCEO = -400V高速: TR 0.7ìs集电极 - 基极电压VCBO -400 V
晶体 晶体管 开关
2SA1413-Z
中文翻译 品牌: TYSEMI
High Voltage: VCEO=-600V High speed:tr 1.0ìs Collector to Base Voltage VCBO -600 V
高电压: VCEO = -600V高速: TR 1.0ìs集电极 - 基极电压VCBO -600 V
晶体 晶体管 开关
2SA1415
中文翻译 品牌: TYSEMI
Adoption of FBET Process High Breakdown Voltage (VCEO = 160V)
采用FBET工艺高击穿电压( VCEO = 160V )
2SA1416
中文翻译 品牌: TYSEMI
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity
采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大
晶体 晶体管 开关
2SA1417
中文翻译 品牌: TYSEMI
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity
采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大
2SA1418
中文翻译 品牌: TYSEMI
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity
采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大
2SA1419
中文翻译 品牌: TYSEMI
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity
采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大
晶体 晶体管 开关
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