品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SA1411
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Very high DC current gain:hFE=500 to 1600. High VEBO Voltage:VEBO=-10V 非常高的DC电流增益:的hFE = 500〜 1600高VEBO电压: VEBO = -10V |
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2SA1412-Z
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High Voltage: VCEO=-400V High speed:tr 0.7ìs Collector to Base Voltage VCBO -400 V 高电压: VCEO = -400V高速: TR 0.7ìs集电极 - 基极电压VCBO -400 V |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SA1413-Z
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High Voltage: VCEO=-600V High speed:tr 1.0ìs Collector to Base Voltage VCBO -600 V 高电压: VCEO = -600V高速: TR 1.0ìs集电极 - 基极电压VCBO -600 V |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SA1415
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET Process High Breakdown Voltage (VCEO = 160V) 采用FBET工艺高击穿电压( VCEO = 160V ) |
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2SA1416
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2SA1417
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大 |
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2SA1418
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大 |
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2SA1419
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大 |
晶体 晶体管 开关 |
Total:81
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