| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
2SB1181
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Hight breakdown voltage and high current. Low VCE(sat). 海特击穿电压和高电流。低VCE （SAT） 。 |
||||
|
2SB1182
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat). Epitaxial planar type PNP silicon transistor 低VCE （SAT） 。外延平面型PNP硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
|
2SB1184
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat). PNP silicon transistor. Epitaxial planar type 低VCE （SAT） 。 PNP硅晶体管。外延平面型 |
晶体 晶体管 | |||
|
2SB1188
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.2A) 低VCE （SAT） 。 VCE （SAT） = -0.5V （典型值） （ IC / IB = -2A / -0.2A ） |
晶体 晶体管 | |||
|
2SB1189
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High breakdown voltage, BVCEO=-80V, and high current, IC=-0.7A. 高击穿电压BVCEO = -80V ，大电流， IC = -0.7A 。 |
晶体 晶体管 |
Total:51
总5条记录，每页显示30条记录分1页显示。