型号起始：	2SB13* (814) 2SB130* (111) 2SB131* (38) 2SB132* (88) 2SB133* (117) 2SB134* (69) 2SB135* (78) 2SB136* (52) 2SB137* (74) 2SB138* (120) 2SB139* (67)
所属品牌：	不限 ROHM(379) ETC(99) PANASONIC(36) ISC(34) UTC(32) SAVANTIC(27) MCC(23) NEC(21) HITACHI(19) JMNIC(18) RENESAS(18) KEXIN(17) CHENMKO(12) SANYO(10) TYSEMI(9) NJSEMI(7) SANKEN(7) CJ(5) FOSHAN(4) SWST(4) TOSHIBA(4) ISAHAYA(3) ONSEMI(3) SECOS(3) SILAN(3) WINNERJOIN(3) HOTTECH(2) HTSEMI(2) LGE(2) TRSYS(2) WILLAS(2)
功能分类：	不限晶体(6) 晶体管(6) 开关(2) 局域网(0) 放大器(1) 小信号双极晶体管(0) 功率双极晶体管(0) PC(0) 二极管(4) 达林顿晶体管(0) ISM频段(0) 肖特基二极管(0) 双极型晶体管(0) 电视(0) 功率放大器(0) 继电器(0) 电机(0) 驱动(0) 驱动器(0) 脉冲(0) 高功率电源(0) 稳压器(0) 转换器(0)

2SB13 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SB1302 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。	晶体晶体管开关
		2SB1308 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage, typically VCE(sat) = -0.45V (Max.) at IC/IB = -1.5A / -0.15A. 低饱和电压，通常为VCE （SAT） = -0.45V （最大）的IC / IB = -1.5A / -0.15A 。	晶体晶体管
		2SB1323 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter. 低饱和电压。包含集电极和发射极之间的二极管。	晶体二极管晶体管开关
		2SB1324 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter. 低饱和电压。包含集电极和发射极之间的二极管。	晶体二极管晶体管放大器
		2SB1325 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter. 低饱和电压。包含集电极和发射极之间的二极管。	晶体二极管晶体管
		2SB1386 中文翻译品牌: TYSEMI	Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) Excellent DC current gain 低VCE （SAT）。 VCE （SAT） = -0.35V （典型值）出色的直流电流增益
		2SB1394 中文翻译品牌: TYSEMI	Contains input resistance (R1), base-to-emitter resistance (RBE). Low saturation voltage. 包含的输入电阻（R 1），基极 - 发射极电阻（ RBE ）。低饱和电压。
		2SB1396 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET,MBIT processes Large current capacity 采用FBET的， MBIT处理大电流的能力
		2SB1397 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter. 低饱和电压。包含集电极和发射极之间的二极管。	晶体二极管晶体管

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