型号等于：	2SB1300 (1) 2SB1302 (4) 2SB1306 (1) 2SB1308 (10) 2SB1309 (1)
型号起始：	2SB130* (111) 2SB1300* (5) 2SB1301* (10) 2SB1302* (14) 2SB1306* (17) 2SB1307* (17) 2SB1308* (45) 2SB1309* (3)
所属品牌：	不限 ROHM(56) NEC(15) MCC(13) ETC(7) KEXIN(6) ONSEMI(3) SANYO(2) TYSEMI(2) WINNERJOIN(2) CJ(1) HOTTECH(1) HTSEMI(1) TRSYS(1) WILLAS(1)
功能分类：	不限开关(1) 晶体管(2) 晶体(2) 小信号双极晶体管(0) PC(0) 局域网(0) 放大器(0)

2SB130 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：2

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SB1302 中文翻译品牌: TYSEMI	Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。	晶体晶体管开关
		2SB1308 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage, typically VCE(sat) = -0.45V (Max.) at IC/IB = -1.5A / -0.15A. 低饱和电压，通常为VCE （SAT） = -0.45V （最大）的IC / IB = -1.5A / -0.15A 。	晶体晶体管

Total:21

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