型号起始：	2SB14* (739) 2SB140* (82) 2SB141* (117) 2SB142* (172) 2SB143* (68) 2SB144* (46) 2SB145* (42) 2SB146* (62) 2SB147* (80) 2SB148* (30) 2SB149* (40)
所属品牌：	不限 ROHM(247) ETC(143) RENESAS(61) PANASONIC(55) UTC(34) HITACHI(32) NEC(24) ISC(20) KEXIN(19) SAVANTIC(16) SANYO(12) TOSHIBA(12) NJSEMI(10) TYSEMI(8) JMNIC(6) MCC(6) BL Galaxy Electrical(4) CJ(4) FOSHAN(4) SECOS(4) HOTTECH(2) HTSEMI(2) LGE(2) PANJIT(2) SANKEN(2) WINNERJOIN(2) DCCOM(1) LITTELFUSE(1) ONSEMI(1) SHINDENGEN(1) SWST(1)
功能分类：	不限晶体(1) 晶体管(1) 放大器(1) 开关(0) 局域网(0) 小信号双极晶体管(0) 光电二极管(0) 高压(0) 功率双极晶体管(0) 功率放大器(1) ISM频段(0) 双极型晶体管(0) 电源开关(0) 达林顿晶体管(0) 驱动器(0) 电机(0) 驱动(0) 高功率电源(0) 脉冲(0) 音频放大器(0) 稳压器(0)

2SB14 - 型号起始 - TYSEMI; 总记录数：8

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SB1407S 中文翻译品牌: TYSEMI	Low frequency power amplifier. Collector to base voltage VCBO -35 V 低频功率放大器。集电极基极电压VCBO -35 V	放大器功率放大器
		2SB1409S 中文翻译品牌: TYSEMI	Collector to base voltage VCBO -180 V Collector to emitter voltage VCEO -160 V 集电极基极电压VCBO -180 V集电极到发射极电压VCEO -160 V
		2SB1412 中文翻译品牌: TYSEMI	Low VCE(sat). PNP silicon transistor. Collector-base voltage VCBO -30 V 低VCE （SAT）。 PNP硅晶体管。集电极 - 基极电压VCBO -30 V	晶体晶体管
		2SB1424 中文翻译品牌: TYSEMI	Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.2V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.1A) Excellent DC current gain characteristics. 低VCE （SAT）。 VCE （SAT） = -0.2V （典型值）（ IC /
		2SB1427 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage, typically VCE(sat) =-0.5V at IC/IB =-1A/-50mA. 低饱和电压，通常为VCE （SAT） = -0.5V ，在IC / IB = -1A / -50mA 。
		2SB1440 中文翻译品牌: TYSEMI	Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through 小功率型封装，设备和自动插入通过允许裁员
		2SB1443 中文翻译品牌: TYSEMI	Low saturation voltage. VCE (sat) = -0.35V (Max.) at IC / IB = -1A / -50mA. 低饱和电压。 VCE （SAT） = -0.35V （最大）的IC / IB = -1A / -50mA 。
		2SB1475 中文翻译品牌: TYSEMI	Super miniature package. High DC current IC(DC)=500mA max. Low VCE(sat): VCE(sat)=-60mV at -100mA 超微型封装。高直流电流IC （ DC ） = 500毫安最大。低VCE （SAT）： VCE （

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