品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
2SC3392
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET process. High breakdown voltage : VCEO=50V. 采用FBET过程。高击穿电压VCEO = 50V 。 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 |
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品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC3392
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Adoption of FBET process. High breakdown voltage : VCEO=50V. 采用FBET过程。高击穿电压VCEO = 50V 。 |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 |